كشفت شركة IBM عن أول رقائق معالجة 2 نانومتر في العالم، مما يوفر معاينة موجزة للتقنية التي قد تعمل في نهاية المطاف على تشغيل الهواتف الذكية والحواسيب المحمولة وغيرها في المستقبل.
وتتميز تقنية IBM الجديدة هذه بزيادة كبيرة في عدد الترانزستورات مقارنة بتقنية تصنيع 7 نانومتر، وذلك بفضل التصميم الأكثر إحكاماً.
وهذا يعني أن الشرائح التي تم إنشاؤها باستخدام هذه العملية يمكن أن توفر مكاسب كبيرة في الأداء وعمر البطارية.
حيث تقول شركة IBM إن رقائقها 2 نانومتر “من المتوقع أن تحقق أداء أعلى بنسبة 45 في المائة، أو استخدام أقل للطاقة بنسبة 75 في المئة مقارنة بشرائح 7 نانومتر.”
ووفقاً ل AnandTech، تتميز شريحة IBM الجديدة 2 نانومتر بحوالي 333 مليون ترانزستور لكل مليمتر مربع.
وللمقارنة، تتميز رقائق شركة TSMC الأكثر تقدماً، والتي تم تصنيعها باستخدام عملية 5 نانومتر، بحوالي 173 مليون ترانزستور لكل مليمتر مربع.
بينما تتميز رقائق سامسونج المصنعة بتقنية 5 نانومتر بحوالي 127 مليون ترانزستور لكل ميليمتر مربع.
في حين أن كل هذا يبدو رائعاً، إلا أنه من المهم أن نتذكر أن شريحة 2nm من IBM هي إلى حد كبير مجرد إثبات مفهوم، وأن المعالجات التي تعتمد على تقنية 2 nm لا تزال بعيدة على الأرجح لسنوات.
وكما ذكرنا سابقاً فإن كلاً من سامسونج و TSMC ينتجان شرائح 5 نانومتر في الوقت الحالي.
على الرغم من ذلك فإن هذه الأخبار تعطي لمحة حول مستقبل تقنية أشباه الموصلات، وعلى الرغم من أن تحقيقها على نطاق واسع قد يستغرق بعض الوقت، إلا أن إعلان شركة IBM يظهر أنه لا يزال هناك الكثير مما يدعو للإثارة عندما يتعلق الأمر بالرقائق الجديدة.